在過去的50年裡，集成電路的技術節點已經從1971年的10微米(μm)大幅縮減到目前的7納米(nm)，甚至正往更小的3nm的節點推進。半導體晶圓關鍵尺寸日漸微小化，促使對無塵室生産環境潔淨度的要求日趨嚴苛。氣态分子污染物(AMC)已逐漸取代顆粒污染物而成為影響産業制程産率的關鍵因素之一。

　　AMC可能導緻大量潛在的制程問題：如酸性氣體(MA)因具有腐蝕性，會侵蝕晶圓上的金屬薄膜,導緻凹坑、線條開路、短路、漏電等;堿性氣體(MB)氨氣的存在則會影響導緻光刻圖形缺陷,并會導緻光刻膠線條頂部呈T型(T-topping);可凝結有機氣體(MC)很容易粘附到矽片表面,形成薄膜和表面分子沾污(SMC),會使光刻膠層、濺射層、PVD層或CVD層形成夾層結構;另外含矽、磷、硼等的揮發性的VOC如矽氧烷、有機磷酸酯等若被吸附并牢牢粘附到矽片、光刻機透鏡或光刻版表面,就會很難去除或無法去除,其被光刻工程師稱為難處理的難溶化合物( refractory compound);摻雜性氣體(MD)如有機磷酸鹽被吸附到矽片表面,受熱後會分解成無機磷化物,變成摻雜劑,造成不希望發生的n型摻雜,導緻電壓漂移等問題。

　　半導體生産制程包含精密的微電子系統和IC，對于生産環境潔淨度的要求特别嚴格，因此整個制造過程都在嚴格控制的環境條件下進行，也就是一般熟悉的潔淨室。

　　為了維持潔淨室的潔淨度，半導體潔淨廠房通常采用垂直單向流的方式，通過推出作用将室内污染的空氣排至室外，從而達到淨化室内空氣的目的。

　　潔淨室空氣淨化主要分為三個階段：

　　第一階段，通過空調箱中的預過濾器、初中效過濾器、高效過濾器、化學過濾器，對室外進入的空氣進行多級過濾，逐級去除雜物、漂浮物及直徑 0.3µm 以上顆粒物及大氣中的化學污染物;

　　第二階段，通過風機過濾單元并經過内置(或搭配)的高效、超高效過濾器、化學過濾器(工藝需要時)的過濾，向潔淨室内部推送穩定的潔淨空氣層流，對潔淨室的空氣進行淨化并達到極高的潔淨度标準;

　　第三階段，将潔淨室的回風通過高架地闆及送風管道(或回風夾道)，重新送至風機過濾單元，經高效、超高效過濾器、化學過濾器過濾後，再送入潔淨室重複使用。

　　美埃半導體潔淨廠房的主要結構示意圖及主要産品的應用過程如下：

　　外部空氣經過多級别空氣過濾器(編号 1 至 4)逐級過濾後進入潔淨室的内部循環系統。此後通過風機過濾單元搭配高效/超高效過濾器和選配的化學過濾器(編号 5、6、7)将潔淨的空氣以穩定的層流送至潔淨室内部，通過風機過濾單元的不間斷運轉維持工作區域穩定的潔淨度。在特定的設備或更高潔淨度要求的工作區域，通過淨化棚搭配 EFU(編号 8、9)在潔淨室内部對空氣進一步淨化，達到局部更高級别的潔淨度。

　　自2005年接到首個成都中芯國際自有品牌FFU訂單開始，美埃已多次助力中國半導體行業發展，在高端潔淨室專業領域占據重要地位。